纳米压印光刻中多层套印精度控制机理与方法研究

纳米压印光刻中因压印载荷导致的多层套印精度恶化，成为该技术应用于IC或复杂MEMS制造的瓶颈问题之一。压印过程涉及模板与基底间的力学作用，且模板在接触光刻胶后须继续压向基底，因此，其多层套印较之常规投影光刻(掩膜板一般与基材保持固定投影距离)中多层套刻更为复杂，是一个变间隙、变载荷的过程，有必要探索新的多层套印方法。为此，本项目将超越常规压印光刻中始点对准套印模式，针对紫外光纳米压印光刻中特有力学行为，提出适应变间隙条件、基于光栅衍射moire条纹相位匹配的对准误差精确测量方法，探索变载荷条件下载荷加载历程的优化，实现压印终点处纳米级多层套印。项目将基于已自制的步进分区式压印平台，建立多层套印所需的模板与基底相对位姿纳米级控制系统，并期望以压印工艺实验和理论仿真，优化变载荷历程，确定压印终点，提出全位姿调整的前馈控制策略，实现任一变载荷加载曲线， 建立多层套印实验系统，评估套印精度。