本项目拟采用双势垒(或多势垒)结构多层纳米薄膜作为压敏材料,通过对不同势垒结构薄膜共振遂穿效应的研究,得到共振隧穿薄膜I-V曲线中电流峰谷比最大者作为压敏结构(该结构在相同应力的作用下灵敏度最大);研究以外延薄膜生长技术与腐蚀、刻蚀结构加工技术相结合的工艺加工方法,实现MEMS工艺与纳米多层薄膜的工艺结合;通过对共振遂穿效应微陀螺仪的结构设计、仿真与加工,突破多层纳米薄膜共振遂穿压敏电阻的生长技术
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数据更新时间:2023-05-31
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