反应堆中子单粒子效应实验与理论研究

中子作用于半导体器件上会产生中子单粒子效应，造成电子学系统功能紊乱，甚至产生灾难性后果。随着半导体制造工艺的不断革新，低能中子入射产生的单粒子损伤日益突出。国内外对于中子单粒子效应的研究主要集中在高能段的大气中子单粒子和加速器中子单粒子方面；而在裂变谱能量段的入射中子导致的单粒子效应的研究方面，公开报道很少。然而，在某些关键领域的应用中，裂变谱中子辐射损伤是导致系统失效的重要因素之一。本项目将以静态随机存储器为载体，依托西安脉冲反应堆，对中子单粒子效应进行深入的实验及理论研究，分析不同工艺参数对中子单粒子效应的影响趋势，并通过GEANT4蒙特卡罗模拟和ISE器件物理仿真相结合，正确给出中子单粒子效应的产生、发展及损伤过程描述，为器件的抗中子单粒子效应加固设计及系统应用设计提供有益的数据和理论支持，对正确地评估应用系统抗中子单粒子效应水平及其抗中子辐射加固指标的提出都具有重要意义。