100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键技术研究
基本信息
批准号：60376020
项目类别：面上项目
资助金额：21.00
负责人：刘明
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陆晶,徐连生,张建宏,李友,王云翔,张卫红,刘实
关键词：
版图设计光学临近效应校正交替式移相掩模
结项摘要
通过对100nm分辨率掩模版图的拓扑分析，建立识别关键线条以及可能发生相位冲突区域的算法，根据识别结果将掩模版图按照特定的要求剖分，合理安排相位区，从而建立一套100nm分辨率交替式移相掩膜的版图分层规则。将该分层规则和光学邻近效应修正软件相结合，直接应用于100nm分辨率掩模版的研制中，将极大提高光学曝光的分辨率求。并为今后设计具有自主知识产权的移相掩模版图分层设计软件打下基础。.交替式移相掩模
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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