提高光刻分辨率的相移掩模研究

本课题系统、深入地研究了相移掩模的理论，独立地建立了相移掩模的通用二维图形数学模式和软件，并进行了大量的计算机模拟，创造性地得出了相移掩模能有效提高分辨率的最佳临界参数；设计与制作了多种类型的实验相移掩模，进行了多次曝光实验，采用理论分辨率为1.1微米的G线缩小投影光刻机曝光，得到了特征尺寸为0.2微米的抗蚀剂图形，证明了相移掩模具有提高光刻分辨率的能力；研究广泛深入，理论和方法有创新，发表了多篇论文，其理论与实验结果均处于国内领先水平，圆满地完成了课题研究任务。但是相移掩模技术是一个复杂领域，其实际应用尚须解决很多技术问题，有待进一步深化研究，使之尽快在我国大规模集成电路研制与生产中发挥积极作用。