介孔SnO2半导体材料的制备及储氢性能
基本信息
批准号：50042008
项目类别：专项基金项目
资助金额：6.00
负责人：赵岩
学科分类：
依托单位：中国科学院金属研究所
批准年份：2000
结题年份：2001
起止时间：2001-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘畅,陈德敏,高本祥,胡传顺,蒋玉齐
关键词：
SnO2介孔储氢
结项摘要
采用溶胶凝胶方法制备的半导体材料SnO2比表面积为20m2/g，储氢量为1.2wt%。以有机表面活性剂或嵌段共聚物为模板通过超分子自组装过程可以制备比表面积达180m2/g的介孔材料Ｓ捎谇庠赟nO2表面会产生强烈的化学吸附，如果能控制介孔材料表面的化学活性保持不变锌赡苤票复⑶饬扛哂惺涤眉壑档男滦痛⑶獠牧希⑶獠牧涎芯刻剿餍碌姆⒄箍占洹
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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