根据离子在梯度和弯曲磁场中的漂移引起较大位移并产生横越磁面的运动,导致离子轨迹扩张这一物理图象,探索H模中负径向电场产生的机制,通过模拟计算给出单粒子集体效应即断虻绯〉姆植己土恐怠I钊胙芯垦芯縇-H 转换所需装置位形和清洁的第一壁等条件的物理庖澹竦米嘉忍琀模找出一条有效实用的产生和控制负径向电场的方法。
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数据更新时间:2023-05-31
Robust H-infinity Control for ICPT Process With Coil Misalignment and Time Delay: A Sojourn-Probability-Based Switching Case
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