非线性光学晶体光致暗迹的研究

光致暗迹是强光入射下在非线性晶体中产生的强吸收光损伤，它导致倍频或混频器件转换效率的严重下降。本项目系统地研究了几种铌酸锂晶体中暗迹的产生和驰豫过程，测量了暗迹的吸收光谱及与弛豫过程相关的激活能，并结合铌酸锂晶体的缺陷结构，初步弄清了不同掺质和不同掺杂浓度的铌酸锂晶体暗迹的产生与晶体中的本征缺陷有关，即与锂离子、铌离子、氧离子空位有关。由此我们进一步发现，掺镁和掺锌铌酸锂晶体强光产生的暗迹在氧气氛下热处理后得到明显的降低。热处理前后两种晶体的倍频转换效率分别由12%和13%提高到30%和34%（入射光功率密度27.5MW/cm（2））。本项目研究得到的结果对其他类似的非线性光学晶体的研究具有参考价值。