非致冷二氧化钒红外传感器的新运行模式

目前非致冷二氧化钒红外传感器运行在半导体温区,其TCR为2%/℃。本项目的目的是将其运行温度由半导体区转移到热滞回线区，其TCR为200%/℃，使非致冷二氧化钒红外传感器的响应灵敏度接近致冷型的HgCdTe红外探测器水平。实现新运行模式的关键是将二氧化钒薄膜的半导体-金属相转变温室由常规的68℃移至靠近室温（约30℃）。研究实现二氧化钒薄膜相转变温度向室温靠拢的方法，研究非致冷二氧化钒红外传感器运行在热滞回线区的物理模型和参数计算，研究新运行模型下的非致冷二氧化钒红外传感器的制造技术，测试其物理参数和性能参数，实现在源头上有所创新。