用穆斯堡尔谱对IBED膜层与基体间界面过渡层的研究

本项目利用穆斯堡尔谱技术，对采用离子束增强沉积技术在纯铁基体上沉积不同材料薄膜所形成的界面过渡层进行测量。结合膜层的力学性能测试和透射电镜观察，研究在不同离子束增强沉积条件下，膜层一基体间界面过渡层的结构与形成机制。发现当增强沉积离子束能量低于2KeV时，样品的穆斯堡尔谱与标准的α-Fe谱相似；随着增强沉积离子束能量的增加，样品穆斯堡尔谱中Fe原子的化学位移和精细结构场发生了变化。显示出Fe原子周围的配位发生了变化，发生了C-Fe原子间的混合。对C-Fe原子混合量的估算表明，在一定的范围内膜层—基体间界面过渡层的厚度随能量和束流密度的增加而增加。当离子束能量大于30KeV后，界面过渡层厚度的增加呈现饱和趋势。