使用Nd:YLF四倍频紫外激光以及钛宝石四倍频可调谐紫外激光, 采用H2O2 为化学媒质, 利用光化学方法在SiC材料表面直接进行图案蚀刻, 并在室温下在Si材料表面形成透明SiO2 绝缘膜, 探索新材料的新加工方法及其机理, 有助于解决目前半导体工业中急需解决的问题,对提高我国半导体工业的研究及应用水平有极大大意义, 有重大的应用前景及经济效益。
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数据更新时间:2023-05-31
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二维MXene材料———Ti_3C_2T_x在钠离子电池中的研究进展
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上转换纳米材料在光动力疗法中的研究进展
深紫外表面等离激元共振铝纳米材料的制备及其在SERS检测中的应用
Si基GaN紫外光电探测器
半导体的真空紫外光化学直接刻蚀研究
基于激光在机测量的复杂舱体结构适应性加工研究