电流垂直于平面构型自旋阀中磁电阻行为的研究

基本信息
批准号:50571021
项目类别:面上项目
资助金额:28.00
负责人:姜勇
学科分类:
依托单位:北京科技大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王燕斌,熊小涛,王海成,翟中海,包瑾
关键词:
读出磁头信息存储磁电阻电流垂直于平面自旋阀(CPPSPV)
结项摘要

在信息时代的今天,信息量的爆炸式增长要求信息存储的密度需要迅速提高。现在广泛应用在计算机硬盘中的读出磁头材料是电流平行于平面的巨磁电阻自旋阀金属多层膜器件。由于该种自旋阀的磁电阻性能有限,电流垂直于平面自旋阀(CPP-SPV)以其独特的磁电阻行为(其磁电阻信号随尺寸的减小反而增大)而成为最有希望的下一代读出磁头材料之一。但通常结构的CPP-SPV的垂直方向电阻和磁电阻值都过低,不能被直接应用。因而如何有效提高CPP-SPV的室温磁电阻效应和改善其电阻值成为目前急需解决的关键问题。本项目拟以CPP-SPV为对象,从实验角度研究极薄强自旋散射金属薄膜或金属合金薄膜层对其室温下的磁电阻及电阻的影响。通过材料的优选和器件结构的调整,有效地提高其室温磁电阻值。且通过进一步改善CPP-SPV 的纵向电阻值,使其总体性能达到下一代超高存储密度的CPP-SPV 读出磁头材料的要求。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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