磁随机存储器中电流诱导磁化翻转行为的研究
基本信息
批准号：90607020
项目类别：重大研究计划
资助金额：30.00
负责人：姜勇
学科分类：
依托单位：北京科技大学
批准年份：2006
结题年份：2008
起止时间：2006-07-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王燕斌,路丽英,包瑾,苏喜平,闫树科
关键词：
自旋阀铁磁性隧道结电流诱导磁化翻转磁随机存储器
结项摘要
磁随机存储器(MRAM)研究中所遇到的难题之一就是如何大幅度提高其信息存储密度。由于磁性存储元件尺寸减小到亚微米或纳米尺寸会带来强大的退磁场效应，高存储密度的MRAM所需要的写入电流也大幅度的增加，即写入能耗大大增加，这严重阻碍了MRAM存储密度的提高。近年来的研究表明，运用自旋极化电流所带来的自旋矩转换效应翻转磁性存储元件的磁矩也可以实现信息存储。这种存储方式非常有利于大幅度提高MRAM的存储密
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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