真空过滤弧沉积薄膜生长,性能及物理过程研究

基本信息
批准号:59401009
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:8.00
负责人:王曦
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:余跃辉,汤丽娟,杨石奇
关键词:
薄膜真空过滤弧沉积
结项摘要

采用新颖的真空过滤孤沉积(FAD)技术合成了优质氮化钛薄膜和非晶金刚石薄膜,对FAD薄膜的生长、结构、性能及物理过程进行深入系统研究。合成的氮化钛薄膜最高显微硬度值达46GPa表面平均粗糙度仅为0.3nm左右。首次实现了氮化钛薄膜三种织构的连续生长,观察到织构转变的临界厚度和偏压。提出淀积能新概念,建立总能量和区域结构模型,分析了氮化钛薄膜织构演变的内在机制,对薄膜择优生长提供理论依据。合成的非晶金刚石薄膜最高sp(3)键含量达93.5%,其密度和显微硬度接近天然金刚石的相应值。研究发现这种非晶金刚石薄膜具有优良的场致电子发射特性,发射阈值场仅为15V/μm,达到了国际选进水平。这种薄膜将在真空微电子冷阴极上有广阔的应用前景。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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