硅量子点相干光激射的研究
基本信息
批准号：10174035
项目类别：面上项目
资助金额：23.00
负责人：陈坤基
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王慧田,王立,张林,李伟,马忠元,黄晓辉,王晓伟,石建军
关键词：
光激射硅量子点布喇格光学腔
结项摘要
在探索Si发光的研究征途中，实现Si的光激射必将引起新一代光电子器件和超快计算机设计的革命。本项目是基于我们提出的限制性晶化原理的研究思想，采用PECVD和激光晶化技术兄聘呙芏染植嫉腟i QDs/SiO2多层结构发光层，设计并原位制作Bragg光学共振腔，获肧i QDs的光激射，研究其相干光激射机理，为实现电注入Si QDs激光器创造条件。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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