纳米硅存储器与单电子效应
基本信息
批准号：60071019
项目类别：面上项目
资助金额：17.00
负责人：陈坤基
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：徐骏,徐岭,李伟,马天夫,秦华,马忠元,王立,鲍云,石建军
关键词：
纳米硅单电子存储器库仑阻塞
结项摘要
基于半导体纳米结构的单电子晶体管存储器的研制，由于其新的工作原理和超低功率耗散已成为量子器件研究领域中的前沿课题。本项目是利用干涉激光限制结晶原理制备有序，可控的纳米硅晶粒，配合改进了的MOS工艺和微加工技术，研制能在室温下工作的纳米硅存储器Ｕ舛匝芯渴椅孪碌牡サ缱铀泶┖涂饴刈枞窒缶哂兄匾蒲б庖濉
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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