在光场受限下强荧光半导体量子点光激射的研究

在我们现有的研究半导体量子点和可见光波段光子晶体的基础上，用单分散的、尺寸与可见光波长相当的聚苯乙烯微米小球（简称PS微球, 尺寸200至350nm〕作模板，在硅或石英衬底上沉积II-VI族纳米晶体，制备出高度有序、排列规整、人工反蛋白石（opal）结构的二维或三维半导体量子点光子晶体薄膜，研究量子点在反蛋白石介电结构中光场受到限域时, 其光发射、光增益、受激辐射等现象。这种反蛋白石结构的量子点阵列薄膜，既保持了量子点在光子晶体的带隙中自发辐射受到抑制，受激辐射模式可调控的优点，又避免了量子点直接嵌入的人工蛋白石晶体只具有赝光子带隙以及光信号在此类光子晶体中衰损的弱点。这样的量子点光子晶体可以制作高品质因子Q、单模、低阈值的谐振微腔，这在超高速的光电器件、纳米光电系统、光运算和光通信等方面具有广阔的应用前景。