量子尺寸效应导致的硅可见光辐射

探索硅的可见发光半导体科学和光电子科学领域中多年来没有解决而又意义重大的研究课题。该研究成果是利用我们提出的“超薄硅层激光诱导限制晶化”原理独创了一种制备发光硅量子材料的新方法，创造性地把计算机控制的PECVD法和Ar（+）激光晶化技术相结合，成功地获得了具有可见发光特性的硅量子点镶嵌结构薄膜。在室温下光致发光波长为0.6μm，电致发光波长0.7μm，肉眼观察分别为橙黄色和橙红色。获国家发明专利，并获1995年度江苏省科技进步二等奖。该类新型硅量子材料在光互连、显示和光存储等光电子器件方面有着广泛的应用前景。并能与硅微电子集成技术相兼容，论文发表后获国内外专家好评，已有包括美、日、德、瑞士等国的十几篇论文引用。