用于制备微电子器件最重要的半导体材料硅(Si)是否能在纳电子器件时代继续扮演重要角色?是否能实现Si单片光电集成?这是当前材料科学和微电子学领域中的重大前沿研究课题,具有重要的基础和应用研究意义。实验和理论研究表明纳米尺度的Si量子点薄膜材料显示出新的量子光电特性,有望把Si材料应用推向纳、光电子领域。本项目的研究目标和研究内容是在我们已建立的超薄非晶Si层激光诱导限制晶化技术的基础上,基于材料的
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数据更新时间:2023-05-31
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