采用金属有机N源研究InN的MOCVD生长及其性质

该项目旨在研究氮化铟InN单晶薄层材料的金属有机化学汽相沉积MOCVD外延生长及其基本物理性质。针对现在MOCVD低温生长InN单晶的技术难点，提出用热裂解温度更低的金属有机MO氮N源代替氨Ammonia外延生长InN材料结构，探索金属有机N源在外延生长中的作用，从而为InN材料外延生长开辟新的研究途径；并结合材料表征方法，对影响MOCVD生长机理的缓冲层应力驰豫、生长温度和V/III比三要素进行研究。同时通过理论计算和实验研究，确定InN材料的禁带宽度和电子有效质量，研究其荧光谱和吸收谱随温度与材料背景浓度变化的规律。此研究不仅可以扩大MOCVD外延技术在氮化物III-N（GaN、AlGaN、InGaN）材料生长上的优势，而且完善了III-N化合物半导体材料的外延生长技术，为其在光电子与微电子领域，特别是在高效太阳能电池方面的广泛应用打下坚实基础。