采用高频等离子N离化的MOCVD方法,结合微量共掺技术,开展在体单晶n-ZnO上生长高质量同质ZnO外延层研究,同时研究并实现稳定的高浓度、高迁移率的p型ZnO可控制备;研究ZnO中杂质与缺陷的行为、相互作用与控制规律;根据半导体理论,研究与设计高效ZnO基LED新型结构,由MOCVD技术在ZnO单晶上生长ZnO/ZnMgO多层量子阱结构,研究ZnO中的电子空穴输运机制和激发、复合过程的机理并加以
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数据更新时间:2023-05-31
演化经济地理学视角下的产业结构演替与分叉研究评述
涡度相关技术及其在陆地生态系统通量研究中的应用
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低轨卫星通信信道分配策略
端壁抽吸控制下攻角对压气机叶栅叶尖 泄漏流动的影响
优质ZnO基多元合金制备及其p型掺杂研究
稳定、高效的p型ZnO薄膜的制备及器件研究
生长温度周期调制的MOCVD法制备p型ZnO薄膜研究
高压下p型ZnO单晶的生长及相关物理问题研究