采用热壁外延技术,通过生长工艺参数的调整和控制,全理设计界面过渡层,在硅单晶上生长氮化镓单晶薄膜材料。解决硅单晶与氮化镓大失配异质外延的关键技术问题。研究氮化镓异质生长的热力学和动力学。问题通过的效地控制杂质缺陷,降低氮化镓背景电子浓度。采用掺杂的方法,形成PN结,然后通过电极制备与封装,制备出硅基氮化镓发蓝光二极管。
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数据更新时间:2023-05-31
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