稳定、高效的p型ZnO薄膜的制备及器件研究
基本信息
批准号：50532050
项目类别：重点项目
资助金额：115.00
负责人：姚斌
学科分类：
依托单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
批准年份：2005
结题年份：2009
起止时间：2006-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张吉英,赵东旭,张振中,李炳辉,王相虎,魏志鹏,王新,矫淑杰,肖芝燕
关键词：
稳定性ZnO同质pn结p型掺杂ZnO半导体
结项摘要
利用射频等离子体辅助分子束外延和热处理技术制备p型ZnO薄膜，通过调节技术参量、改变掺杂方法和利用高压气氛热处理手段减少本征施主缺陷密度、提高并控制受主杂质的浓度和存在形态。研究掺杂方法对受主掺杂浓度和形态的影响和机制，及受主杂质的物性和存在形态对受主能级和载流子浓度的影响和机制；研究不同受主掺杂的ｐ型ZnO的电导随时间、温度和光照变化的规律，阐明影响ｐ型ZnO电导稳定性的物理机制。研究不同掺杂影
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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