面向高性能光电子器件制备的半导体晶片低温键合新途径、新技术的研究

本课题属国际前沿课题，所提出研究的基于硫化物表面处理的低温晶片键合技术，采用硫脲溶液处理待键合晶片的表面，使得在较低的热处理温度下，实现GaAs/InP半导体晶片间的高质量键合；并且由于键合温度的降低，减少了热处理过程中由于两者热涨系数不同所导致的热应力，能够实现较大的键合面积,为该技术的实用化奠定基础。这种工艺同时具有环保、低成本的特点，它的研究成功将推动光电子集成的发展。