低功耗高性能多孔硅基底WO3基薄膜气敏微传感器研究

基本信息
批准号:60771019
项目类别:面上项目
资助金额:30.00
负责人:胡明
学科分类:
依托单位:天津大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李昌青,秦玉香,尹英哲,梁继然,刘志刚,李东海,杨海波,孙凤云,陈鹏
关键词:
低功耗多孔硅气敏传感器薄膜WO3
结项摘要

提出低功耗高性能多孔硅基底WO3基薄膜气敏微传感器研究,基于WO3优异的气敏性能、多孔硅的气敏特性与绝热效应以及介孔硅中的硅颗粒与WO3薄膜颗粒构成的两相纳米界面所具有的二元协同性原理,对所涉及的相关理论与关键技术进行研究与探讨。将研究在多孔硅基底表面沉积形成纳米WO3薄膜的生长模型和相关成膜机理;建立多孔硅为基底的WO3基纳米薄膜气敏传感器的气敏机制模型;解决多孔硅基底WO3基纳米薄膜制备工艺中的关键技术;得出界面特性与气敏特性的对应规律;实现低功耗多孔硅基底WO3基薄膜气敏传感器的结构设计及制作工艺与硅集成电路工艺的兼容性,解决相应的关键技术。研究意义在于研究将涉及现代科学领域的一系列前沿课题,项目的进行与完成将促进纳米技术、表面与界面物理、薄膜科学与技术、微电子学基础理论发展,具有重要学术研究意义,研究具有鲜明的学科交叉性,为推动SOC中微传感系统研究奠定基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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