Mn掺杂ZnO基稀磁半导体材料的磁性机制研究
基本信息
批准号：10647105
项目类别：专项基金项目
资助金额：2.00
负责人：李金华
学科分类：
依托单位：长春理工大学
批准年份：2006
结题年份：2007
起止时间：2007-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：卢俊,魏志鹏
关键词：
磁性机制稀磁半导体Mn掺杂ZnO
结项摘要
ZnO是一种宽带隙的半导体材料，室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，具有优良的物理和化学性质，是目前光电子研究领域的热点。由于理论预测在Mn掺杂的ZnO中能够实现室温以上的铁磁性，因此ZnO在稀磁半导体的研究中引起了相当广泛的重视。但目前对于其磁性产生的理论机制仍没确切的解释，是目前这一领域研究中所面临的主要问题之一。.本工作将制备过渡金属Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料(
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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