由POSS制备纳米孔洞IC低介电材料研究
基本信息
批准号：90206014
项目类别：重大研究计划
资助金额：24.00
负责人：徐洪耀
学科分类：
依托单位：安徽大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：章于川,王命泰,李村,光善仪,尹守春,方敏,宫晓梅,王献彪,汪佳凤
关键词：
介电材料多面的低聚倍半硅IC
结项摘要
本文以高分子为模板，设计合成出一系列功能POSS单体和分子水平均匀分散的POSS高分子，采用二阶甚至多阶零次反应动力学进行材料制备、高温固化，实现材料中纳米孔洞大小、分布及均匀性的有效控制，采用各种现代光谱和材料表征技术对材料分子组成，宏观结构和介电性能进行详细表征，并探讨了分子微观组成—宏观结构—材料性能间关系。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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