嵌入式存储器内建自修复方法研究

基本信息
批准号:90607010
项目类别:重大研究计划
资助金额:30.00
负责人:胡瑜
学科分类:
依托单位:中国科学院计算技术研究所
批准年份:2006
结题年份:2008
起止时间:2006-07-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:韩银和,徐勇军,杨修涛,王达,王飞,张旻晋,董婕,文科,刘慧
关键词:
冗余自修复自诊断自测试嵌入式存储器
结项摘要

随着集成电路制造工艺向着超深亚微米和纳米级推进,一方面存储器在SOC芯片中所占面积比重日益增大,另一方面存储器的缺陷密度不断上升,导致存储器的缺陷率直接影响到SOC芯片的成品率,从而使嵌入式存储器的自修复技术在提升SOC芯片成品率上发挥着日益重要的作用。本项目拟研究嵌入式存储器自修复方法的三个重要内容:1)针对高缺陷密度带来的诊断复杂性问题,研究嵌入式存储器的自诊断技术,以提供快速准确的故障定位能

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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