Sb元素诱导分子束外延生长GaInNAs长波长量子阱材料
基本信息
批准号：90201026
项目类别：重大研究计划
资助金额：24.00
负责人：牛智川
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：杨旭东,方志丹,龚政,苗振华,徐晓华,李树英,王学宇
关键词：
分子束外延Sb元素长波长
结项摘要
本课题主要研究在GaAs衬底下，用Sb元素诱导分子束外延的方法直接生长GaInNAs长波长发光材料。摸清Sb元素对提高量子阱界面质量、大幅度提高发光效率的生长机理，获得长波长1.3-1.5微光发光材料（室温下），系统地研究其发光物理特性，建立这种新型长波长材料的能带结构物理模型，试制长波长发光器件，为进一步实现长波长面发射激光器奠定基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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