InAsP应变多量子阱是制作低阀值、无制冷长波长半导体激光器及高饱和功率电吸收光调制器等光电子器件最潜力的材料之一,这是因为其导带偏移量较大。而其应用的关键是外延生长多个失配InASP量子阱。本项目利用新型全固源分子束外延技术,对InAsP多量子阱材料的外延生长及相应器件的制作进行研究。
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数据更新时间:2023-05-31
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