全固源分子束外延生长InAsP多量子阱及器件应用
基本信息
批准号：60244001
项目类别：专项基金项目
资助金额：13.00
负责人：郝智彪
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：史月艳,罗毅,王健,胡卉,何为,唐旺峰,熊兵
关键词：
InAsP应变多量子阱全固源分子束外延光电子器件
结项摘要
InAsP应变多量子阱是制作低阀值、无制冷长波长半导体激光器及高饱和功率电吸收光调制器等光电子器件最潜力的材料之一，这是因为其导带偏移量较大。而其应用的关键是外延生长多个失配InASP量子阱。本项目利用新型全固源分子束外延技术，对InAsP多量子阱材料的外延生长及相应器件的制作进行研究。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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