亚单层InAlGaAs量子点的分子束外延生长

基本信息
批准号:60444010
项目类别:专项基金项目
资助金额:6.00
负责人:徐章程
学科分类:
依托单位:南开大学
批准年份:2004
结题年份:2005
起止时间:2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:皮彪,舒强,贾国治,邢晓东,孙亮
关键词:
自组装量子点亚单层高均匀性高密度
结项摘要

本项目的目的是探索高均匀性、高密度半导体自组装InAlGaAs量子点的分子束外延生长方法。和传统的Stranski-Krastnow (SK) 生长模式不同,我们将采用亚单层(Submonolayer)沉积法生长自组装InGaAlAs量子点。在生长亚单层InAlGaAs量子点时,交替沉积亚单层InAs和很薄的InAlGaAs 。和SK量子点相比,亚单层量子点具有密度高的特点,但其均匀性强烈地依赖

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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