原子氢辅助分子束外延生长位置可控量子点

基本信息
批准号:60176006
项目类别:面上项目
资助金额:21.00
负责人:牛智川
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2001
结题年份:2004
起止时间:2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王晓东,汪辉,李树英,苗振华,澜清,周大勇,孔云川
关键词:
量子点分子束外延原子氢辅助
结项摘要

本课题主要研究在GaAs图形和平面衬底上用原子氢辅助分子束外延的方法,直接生长位置可控、均匀排列的InGaAs自组织量子点列阵结构。通过对外延结构的系统分析建立生长机理模型。深入研究这种均匀量子点的结构特点、发光物理光(量)子信息存储等特性。达到改善量子点位置可控性和均匀性、提高量子点发光特性、以适于激光器应用的目的。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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