InGaAs/GaAs应变量子线生长、发光性质及器件应用研究

在国际上首次提出“InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构”的概念。应变InGaAs/GaAs脊形量子线结构的横向量子限制效应来自外延层厚度沿横向方向的变化，同时进一步引入In组份沿横向方向的变化和应变导致的带隙沿横向方向的变化，以上3种因素相结合将进一步提高脊形量子线结构的横向载流子量子线限制效应。实验证实了其明显的横向量子限制效应，从而为量子线结构的制备提出了一种更好的方法，为应变材料量子线的器件应用奠定了物理基础。还开展了与德国PAUL-DRUDE固体电学研究所的国际合作，获得了在腐蚀图形（311）A面GaAs基上的“高均匀量子点结构”、“可用于器件的量子线列阵结构”、“氢原子辅助生长对表面形貌的影响”以及“新型三角形点状结构”等多项具有国际先进水平开创性研究成果。