一次MOCVD外延生长长波长量子阱半导体激光器
基本信息
结项摘要
用MOCVD技术外延生长出长波长量子阱半导体激光器。只用一次MOCVD生长制备的脊型波导激光器具有光限制与电注入自对准的优点，制备工艺简单且器件性能优良。为完成本项目工作，首先研究了InP初底的各种沟槽形状的腐蚀特性，InP和GaAs衬底不同晶向或非平面衬底上的生长规律，量子阱结构的生长和发光特性，应变阱层临界厚度的实验和理论分析。研究了量子阱的阱数以及电极条宽、谐振腔长等对器件性能的影响，还对多层量子阱外延片的脊形波导制备工艺及对器件性能的影响进行了研究，包括正、倒梯形对光限制，阈值电流的不同影响，最终决定采用倒梯形结构制做器件。
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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