半导体量子点非经典光辐射效应研究

基本信息
批准号:10734060
项目类别:重点项目
资助金额:200.00
负责人:牛智川
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2007
结题年份:2011
起止时间:2008-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李传锋,何力新,倪海桥,贺振宏,徐应强,吴东海,许金时,陈耕,窦秀明
关键词:
非经典耦合单光子量子点分子束外延
结项摘要

基于半导体量子点的量子态调控研究是目前量子信息领域的前沿课题之一。本项目主要研究单量子点制备及其激子波函数量子干涉现象;垂直耦合双量子点生长及其激子态耦合效应;微腔量子点耦合结构制备及其非经典光辐射机理。采用分子束外延方法,突破低密度、空间有序、垂直耦合等InAs自组织量子点的生长技术。设计生长AlAs/GaAs分布布拉格反射平面微腔,采用电子束曝光和离子刻蚀制备单量子点微腔耦合结构。研究锁相光脉冲激发单量子点激子相干光驰豫过程及量子干涉现象,为实现量子态波函数剪裁叠加等量子调控提供物理依据。研究电场下垂直耦合双量子点间载流子隧穿、库仑相互作用机制及其激子耦合效应,为采用耦合激子态构建量子比特的操作提供物理依据。研究电泵浦、光泵浦微腔量子点光辐射场光子关联和统计特性,为研制微腔量子点结构单光子发射器件奠定物理基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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