新结构1-1.6μmInGaAs/InP光电探测器研究

本项目对InGaAs/InP材料生长速率，清洁度及氧化膜去除技术深入研究使生长失配率小于10（-3）。浓度、厚度、组分均匀性重要性小于5%，生长出了器件需要的优质材料。本项目用Be（+）注入 InGaAs形成了探测的基区，建立了两探针与剥层相结合检测 InGaAs/InP材料剖面结构的方法，并用Ti(+),Fe(+)形成了隔离层，选用本项目独创的新型有隔离电极的光电探测器结构，研制成功了工作在光纤通讯用1.6μm波长的光电探测器在VEC=4V,VG=1.2V,300nw光入射功率下光电增益为350，比无隔离环时提高了5.34倍证实了新型结构的优点及在光纤通讯中应用的前景。本项目还探索在多晶硅发射极硅材料和Ge单晶上研制此种器件，在硅材料的器件当44nw入射功率时光电增益可高达3034。