新结构铟镓砷MSM光电探测器及集成技术研究

金属—半导体—金属铟镓砷光电探测器，具有平面结构，高速的优点。但是由于铟镓砷上金属电极肖特基势垒高度过低使暗电流大，影响放大器性能。本课题从器件物理出发提出了创新设计：在铟镓砷层上形成晶格匹配双重热垒增强层，即在U:InP势垒增强层上再长一层浓度为1×10(18)cm(-3)，厚15nm的P型InP，可形成比单一U：InP层更高的有效势垒，电流按e-△φ/NT比例下降，△φ为有效势垒装增量，实验研究表明这一设计的正确性，测得新结构的器件暗电流最低为4.7nA平均为10nA左右，比我们单U：InP势垒增强层的器件暗电流（55nA）大为下降，达到国际上同期报导的最低水平，此创新设计方法，已获我国国家发明专利。