埋入SiO2膜中微晶锗的量子尺寸效应与可见发光的研究

人工改进微结构材料会表现出一系列令人神往的光学和电学性质，埋入SiO2基质中的微晶Ge（以及Si和C）呈现出的量子尺寸效应，能使Ge（或Si、C）发射可见光。为了寻找实现纳米或微晶Ge（SiC）可见发光的新途径，我们利用射频共溅射技术，采用SiO2+Ge（或Si或C）复合靶，把Ge（Si、C）埋入SiO2中，优化工艺条件制备出Ge（Si、C）/SiO2复合膜，随后在不同温度退火处理获得uc-Ge(或Si,C)/SiO2 复合膜，在合适的Ta均得到了较强的可见光致发光，基中Si、C的发光优于Ge。我们用拉曼谱系统地研究了退火温度Ta 、Ge 、Si、C的含量、复合膜厚度，纳米晶粒尺寸等与发光强度、峰位之间的关系，对这三种复合膜的电学性质也进行了研究，对发光机理进行了探讨。我们已很好地完成了任务，发表论文8篇。