基于单电子效应的室温硅基多量子点存储器
基本信息
批准号：60471021
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：黄信凡
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：马忠元,徐岭,吴良才,张永军,李伟,余林蔚,邹和成,韩培高,戴敏
关键词：
激光定域晶化单电子效应硅量子点阵列纳米硅存储器
结项摘要
Si基材料及其成熟的平面工艺是当代微电子器件的支柱，然而具有纳米尺度的Si量子结构能否在新一代纳电子领域中继续扮演主干角色？这是半导体领域中重大研究课题之一，具有基础和应用研究意义。实验和理论研究表明纳米尺度的Si量子点薄膜材料显示出新的量子特性，有望把Si材料应用推向纳电子领域。本项目的研究目标和内容是在我们已建立的超薄非晶Si层激光诱导限制性结晶理论基础上，基于材料的尺寸效应，从构筑原理和工艺
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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