高能量密度等离子体法制备立方氮化硼薄膜

脉冲高能量密度等离子体制备立方氮化硼薄膜是利用我们实验室的等离子体枪进行立方氮化硼制备的实验研究。等离子体参数为：温度10（5）-10（6）（0）K；密度10（14）-10（16）cm（-3）；平均速度10-100km/s；脉冲宽度10-100μs。当脉冲等离子体轟出样品时，可在材料表面产生沉积、注入、泽火等效应。使用50%B2H6+50%N2的混合气体为等离子体源，混合气体被电离后，B，H，N都处子离化态，当沉积于样品表面时，由于等离子体轟出瞬间的高温高压效应，可以在材料表面生成立方氮化硼薄膜。我们在室温低压条件下成功地在单晶硅和GCrB钢上制备了具有立方相比例较大的氮化硼薄膜。红外吸收谱、XRD及TEM分析证明了立方氮化硼的生成。样品表面硬度大大提高。