宽带隙立方氮化硼薄膜半导体材料的制备及特性研究

用热丝辅助射频等离子体化学汽相沉积和微波化学汽相沉积法，通过分解氮气、氨气、硼烷和氢气等反庆气体、在硅、金刚石薄膜，镍钴等衬底上，制备出较高质量的立方氮化硼薄膜。通过研究发现，氨气比氮气更适合作为化学汽相沉积法制备立方氮化硼薄膜的氮源；射频与直流偏压对立方氮化硼晶粒定向生长特性有影响，立方氮化硼薄膜具有（220）晶向的择优聚向生长特征；氢等离子体对非方氮化的硼相具有刻蚀作用；首次观察到硅衬底上沉积的形状规则的立方氮化硼晶粒形貌，确定了立方氮化硼膜与硅衬底间存在一个氮化硅的过渡层；研究确定了镍，钴等材料的化合物对立方氮化硼生成有催化作用；用电导测量法研究了立方氮化大硼薄膜的电导率随温度的变化关系。