单晶金刚石薄膜/立方氮化硼半导体异质结的制备与研究

以高温高压合成的片状高品质立方氮化硼单晶为原材料，通过高温扩散方法进行型掺杂，在掺杂后获得n型立方氮化硼单晶表面，通过化学气相沉积方法外延生长硼掺杂单晶金刚石薄膜，制备出n型立方氮化硼单晶和p型金刚石单晶薄膜构成的异质结材料。在此基础上，利用磁控制溅射和真空蒸镀方法在异质结材料的两面制备欧姆接触电极和测量引线，形成完整的金刚石单晶薄膜和立方氮化硼异质结。测量结果表明：该结具有典型的半导体结的伏安特性，门电压为6伏，反向导通电压为28伏，结漏电流约为零。当环境温度达到300℃时，该结的伏安特性没有明显变化，表现出预期相同的良好的高温工作特性。此项研究成果已经申报国家发明专利。