立方氮化硼薄膜形成机理及其光学性质的研究
基本信息
结项摘要
利用热灯丝射频等离子体CVD法成功的在单晶硅陶瓷，铁等衬底上合成出了立方氮化硼薄膜。射频功率100-150W。衬底温度750-850℃灯丝温度1600-200℃。反应气体为B2H6+NH3，分别用H2稀释到1%，气体比率B2H6+NH3=1/3，工作气压0.6-1.0Ton,经X光衍射，扫描电子显微镜，红外光吸收及拉曼谱分析表明C-BN成份在膜中超95%以上。电阻率为7.8×10（7）-4.7×10(12)n-cm,光隙能大于6ev, 最大维氏硬度6000kg/mm(2).并且首次在渗硼铁上生长出了均匀和粘附很强的C-BN膜。由于C-BN类似于金刚石性质，因而广泛应用于机械，电子和光学等工业领域。对其膜形机理及光电性质还进行了系统的实验研究和理论分析，获得了不少重要结果。在国内外学术刊物上发表学术论文14篇，受到了国内外同行专家好评和重视。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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