载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究

基本信息
批准号:69677014
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:王明华
学科分类:
依托单位:浙江大学
批准年份:1996
结题年份:2000
起止时间:1997-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王明华,周强,冯浩,周伟勤,江哓清,杨建义,孙一翎,尹锐,朱月莲
关键词:
高集成度砷化钾无阻塞
结项摘要

光开关列阵是集成光学技术研究的热点之一,在MEMS、液晶光开关列阵广受关注的同时,由于全反射型光开关具有体积小、工艺简单、易于集成化等优点同样受到研发单位的重视。本课题按计划要求顺利完成光开关单元及列阵的理论研究、器件设计,并在整体上采用正交输入输出结构,使器件较均匀地分布在晶片上,既避免电流注入引起的器件发热集中,又有利于输入输出波导与光纤的耦合,同时利于列阵的维护与扩充。本项目成果已申请国家发明专利并获初审通过。对单元其间非对称Y分支波导节点设计进行了优化,减少注入区截面积,既提高消光比,又降低注入电流。国内某通讯公司研发部门希望对该项研究进行合作,并转向InP基底,目前正在探讨方案及可行性。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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