GaAs波导型光开关列阵的研究

按预定要求完成了本基金项目的研究，在国内首次深入研究了GaAs材料的对称定向耦合BOA型光开关、M-Z干涉型光开关、1X2非对称干涉型光开关、定向耦合Δβ交叉电极光开关单元，在此基础上设计并采用同质结GaAs材料研制成非对称光波导M-Z干涉型与Δβ交叉电极型1X4光开关列阵，列阵单元器件的串音比高于-20dB，开关电压为13V-19V，3dB带宽大于1GHz，均达到任务书技术要求。利用液相外延研制成用于光开关单元的异质结外延材料，为光开关列阵材料研制提供了实验数据。研制成功预刻蚀光波层剥离技术，实现了电极厚度超过1μm的细长光波导剥离工艺。完善了光开关单元特性测试系统，为器件研究提供了可靠的数据。本项研究工作为进一步探讨高速光开关列阵打下了良好基础。