基于化合物半导体材料高速光开关的研究
基本信息
批准号：60436020
项目类别：重点项目
资助金额：180.00
负责人：王明华
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：2004
结题年份：2008
起止时间：2005-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：江晓清,杨建义,李锡华,张国荣,杨爱龄,李宇波,余辉,唐奕,徐枝新
关键词：
全内反射光开关载流子注入化合物半导体材料集成光学
结项摘要
高速光开关及其阵列是高速大容量光通信网络中关键器件之一，而GaAs、InP等化合物半导体材料是光波导、有源器件的重要材料，化合物半导体材料的光调制器、光放大器等多种光器件已从基础研究走向应用。本项目以化合物半导体材料带内吸收机理研究及其在高速光开关中应用研究作为主要内容，具体通过对注入载流子对材料的光学特性的深入分析，来提高注入效率；利用能带剪裁技术优化设计量子阱材料，在增强场致效应同时降低无电场
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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