新型SiC高温半导体器件关键技术基础研究

系统地研究了碳化硅高温半导体材料的制备技术和器件的关键支撑技术及其机理。建立了适于碳化硅生长的淀积系统，研究了生长机理，分析了生长条件对材料性能及微结构的影响，实现了碳化硅材料的可控掺杂与选择掺杂；研究了其能带结构和主要散射机构。研究了碳化硅的等离子体刻蚀技术和刻蚀机理，实现了图形刻蚀。用磁控溅射淀积了Au/NiCr欧姆接触，淀积Pt实现了肖特基接触，系统研究了接触特性。建立了碳化硅氧化生长模型，探索了其机理和规律。设计研制了国内首只碳化硅高温压力传感器、6H-SiC及4H-SiC肖特基二级管和MOS场效应管，得到了器件的初步特性，为今后的研究工作奠定了必要的实验基础。提供了关键支撑技术。