高温大功率器件用SiC材料CVD快速外延生长研究

宽禁带碳化硅（SiC）是一种性能优异的第三代半导体，可用于研制高温、大功率微电子器件，是航空、航天、国防、工业急需的电子元器件。基于这一需求，本申请旨在用CVD快速外延生长方法，实现高温大功率SiC器件用厚有源层材料，为制造各种高温、大功率SiC器件奠定材料基础。本项目的研究目标就是通过分析SiC CVD快速生长机理，实现SiC的快速CVD外延生长，外延生长速率达到50微米/小时，外延材料的厚度达到100微米，表面粗糙度小于0.5纳米（尺度：10微米x10微米），背景载流子浓度低于1E15cm^-3。项目的基本思想是基于CVD外延生长技术,通过在反应气体中引入HCl气体或含有Cl元素的反应气体，达到在快速生长条件下降低表面粗糙度和抑制"Si滴"形成的目的。本申请是当前国际研究热点，在国内首先提出了CVD快速外延生长方法。项目的成功实施将对于我国开展功率SiC器件的研究，具有重要的推动作用。