新型铁电薄膜及其铁电半导体场效应器件基础研究
基本信息
批准号：69476017
项目类别：面上项目
资助金额：12.00
负责人：汤庭鳌
学科分类：
依托单位：复旦大学
批准年份：1994
结题年份：1997
起止时间：1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李楚容,刘冬梅,于伟峰,陈政
关键词：
铁电场效应界面特性铁电薄膜
结项摘要
研究了用SOL-GEL方法生长铁电薄膜的技术。研究了材料组分，烧结和退火温度等对铁电薄膜特性的影响，得到良好的铁电电滞回线，剩余极化强度达到20μC/cm（2），漏电流为10（9）-10（10）/cm（2）。研究了铁电薄膜电容的金属电极材料，选择钛和铂作为电极材料，并探索了一整套制备铁电薄膜电容的工艺，包括铁电薄膜，铂，钛等的反应离子刻蚀技术。探索了PZT在不挥发存储器中的应用，解剖了国外样管，验证了存储器电路，设计了铁电不挥发存储器试验版图（由12块光刻版构成）为今后研制FRAM打下了基础。钛酸钡薄膜作为铁电材料，试验了MFS晶体管结构，测试了它的高频C-V特性，得到存储窗口△V=0.82V。在国内刊物等发表论文9篇。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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