基于TSV的三维集成关键技术研究

基本信息
批准号:61334003
项目类别:重点项目
资助金额:260.00
负责人:杨银堂
学科分类:
依托单位:西安电子科技大学
批准年份:2013
结题年份:2018
起止时间:2014-01-01 - 2018-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:柴常春,刘毅,董刚,吴晓鹏,钱利波,王凤娟,卢启军,刘晓贤,张岩
关键词:
硅通孔三维集成电路
结项摘要

For ultra-high density memory applications, the project focusing on research based on a variety of materials TSV modeling and signal integrity, interconnect power consumption optimization, thermal management and thermal distribution of a series of scientific questions for three-dimensional integrated circuits, and to explore the TSV-based of 3D optoelectronic integrated and other cutting-edge scientific issues, learn TSV-based three-dimensional integrated circuit design, signal integrity, thermal management, and opto-electronic hybrid integration, the new three-dimensional memory, such as the formation of innovative breakthroughs. The project will build on a variety of materials TSV electromagnetic model to study a wide operating frequency TSV interconnect signal integrity, and to study the three-dimensional memory coupling and dynamic coupling technology, optimize the distribution of through-hole and pin array distribution. The thermal TSV most established TSV the thermal analytic model of the three-dimensional integrated circuits, TSV distribution model of the numerical analysis of the impact of interconnect temperature and three-dimensional integrated circuit thermal optimization allocation techniques. The master the TSV cost of, performance thermal path, blank distribution optimization design methodology the 3D global interconnect line characteristics, such as three-dimensional integrated circuits, divided in three-dimensional integrated circuits, thermal optimization, global interconnect optimization has formed own key technologies. Exploration and study light the TSV structure and large capacity, low-loss optical router structure, to verify that the new ultra-high-density three-dimensional memory.

面向超高密度存储器应用,重点研究基于多种材料TSV的三维集成电路TSV建模及信号完整性、互连功耗优化、热管理和热分布等方面的系列科学问题,并探索基于TSV的三维光电集成等前沿科学问题,在基于TSV的三维集成电路设计方法学、信号完整性、热管理、光电混合集成、新型三维存储器等形成创新性的突破。本项目将建立多种材料TSV的电磁模型,研究宽工作频率的TSV互连信号完整性,研究三维存储器的耦合和动态耦合技术、优化通孔分布和引脚阵列分布。研究建立TSV三维集成电路的热解析模型,获得TSV分布对互连线温度影响的数值解析模型,实现三维集成电路热的热通孔最优化分配技术。掌握TSV成本、散热路径效能、空白区分布、3D全局互连线特性等三维集成电路优化设计方法学,在三维集成电路划分、热优化、全局互连线优化等方面形成自主关键技术。探索研究光TSV结构和大容量、低损耗的光路由器结构,验证新型超高密度三维存储器。

项目摘要

基于硅通孔(TSV)的三维集成电路(3D ICs)是未来集成电路发展的主流技术。项目重点面向超高密度集成应用,解决基于多种材料TSV的三维集成电路TSV建模及信号完整性、互连功耗优化、热管理、微波无源器件集成等方面的系列科学问题,并探索光TSV和光路由器等前沿科学问题,在基于TSV的三维集成电路设计方法学、信号完整性、热管理、微波前端集成、光电混合集成、新型三维存储等形成创新性的突破。项目发表了36篇IEEE期刊等论文,出版专著1部,培养了一批博士和硕士生,相关技术在华天科技等单位获得了产业化应用。牵头获得2016年国家科技进步二等奖1项,2015年陕西省科学技术一等奖1项。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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